Версия для печати
Технические характеристики STGW39NC60VD

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Серия	PowerMESH™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 30A
Current - Collector (Ic) (Max)	80A
Power - Max	250W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

STGW39NC60VD (IGBT) Высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 40 А Производитель: STMicroelectronics STGW39NC60VD datasheet 425.8 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

IGBT - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	ST MICROELECTRONICS
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	MOTOROLA
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	PHILIPS
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)		1	24.00
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	MOTOROLA	252
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	568
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	PHILIPS
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	МИНСК
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	STMICROELECTR
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	1
		ECAP 47/50V 0611 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 50 В, 105С	JAMICON
		ECAP 47/50V 0611 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 50 В, 105С			7.52
		ECAP 47/50V 0611 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 50 В, 105С	JAM
		ECAP 47/50V 0611 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 50 В, 105С	YAGEO
		ECAP 47/50V 0611 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 50 В, 105С	JB
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop		112	387.64
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	Fairchild Semiconductor
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIRCHILD
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FSC	1	377.85
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIRCHILD	552	430.14
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONS-FAIR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONS	12	443.40
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ON SEMICONDUCTOR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONSEMICONDUCTOR
		GSIB2560-E3/45			VISHAY
		GSIB2560-E3/45			Vishay/General Semiconductor
		GSIB2560-E3/45			GENERAL SEMICONDUCTOR	300
		GSIB2560-E3/45
		SF304			DC COMPONENTS
		SF304					386.00

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"