STW12NK90Z

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STW12NK90Z (ST MICROELECTRONICS)	1 202	232.25
STW12NK90Z		440.00

Версия для печати

Технические характеристики STW12NK90Z

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	880 mOhm @ 5.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	152nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3500pF @ 25V
Power - Max	230W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STW12NK90Z (MOSFET)

N-channel 900V - 0.72? - 11A - TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STW12NK90Z datasheet
271.1 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SK2647	Транзистор полевой N-MOS 800V, 4A, 40W	FUJITSU
2SK2647	Транзистор полевой N-MOS 800V, 4A, 40W	FUJI ELECTRIC
2SK2647	Транзистор полевой N-MOS 800V, 4A, 40W	FUJI
2SK2647	Транзистор полевой N-MOS 800V, 4A, 40W	FUJ
2SK2647	Транзистор полевой N-MOS 800V, 4A, 40W			192.96
2SK2647	Транзистор полевой N-MOS 800V, 4A, 40W	СИНГАПУР
7806 (7806С)		БРЯНСК
CM322522-101KL	ЧИП индуктивность 100мкГн 1210	BOURNS	179	21.34
CM322522-101KL	ЧИП индуктивность 100мкГн 1210			19.84
CM322522-101KL	ЧИП индуктивность 100мкГн 1210	ВОURNS
STW10NK80Z	N-channel 800v - 0.78? - 9a - to-247 zener-protected supermeshtm mosfet	ST MICROELECTRONICS
STW10NK80Z	N-channel 800v - 0.78? - 9a - to-247 zener-protected supermeshtm mosfet
STW10NK80Z	N-channel 800v - 0.78? - 9a - to-247 zener-protected supermeshtm mosfet	STMicroelectronics
STW10NK80Z	N-channel 800v - 0.78? - 9a - to-247 zener-protected supermeshtm mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI
КСОТ-2Г-500В-180 ПФ 10%