TNY268PN

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
TNY268PN (PWR)	914	154.93
TNY268PN	72	313.74
TNY268PN (POWER INTEGR)	32	202.44
TNY268PN (4-7 НЕДЕЛЬ)	161	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики TNY268PN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC2235	Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)	TOSHIBA
2SC2235	Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)	TOS
2SC2235	Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)			20.96
2SC2235	Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)	КИТАЙ
2SC2235	Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)	CJ
2SC2235	Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)	JSCJ	1 500	97.72
ECAP 47/16V 0511 105C RD	Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 16 В, 10С	SAMWHA
HCM1201A	PBF излучательзвука 12 мм, 1.5В	JLW	332	43.92
HCM1201A	PBF излучательзвука 12 мм, 1.5В		107	24.58
HCM1201A	PBF излучательзвука 12 мм, 1.5В	JL WORLD
HCM1201A	PBF излучательзвука 12 мм, 1.5В	RUICHI	8	31.65
STM32F100RBT6B		ST MICROELECTRONICS	4	308.04
STM32F100RBT6B			467	248.74
STM32F100RBT6B		STMicroelectronics
STM32F100RBT6B		МАЛАЙЗИЯ
STM32F100RBT6B		ST MICROELECTRONICS SEMI
STM32F100RBT6B		4-7 НЕДЕЛЬ	723
UC3843AD8G4		Texas Instruments
UC3843AD8G4		TEXAS
UC3843AD8G4
UC3843AD8G4		UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS C	88
UC3843AD8G4		4-7 НЕДЕЛЬ	314