ЖЕЛЕЗО ХЛОРНОЕ 100ГР.

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SK2134	Транзистор полевой N-канальный (200В, 13A)	NEC
2SK2134	Транзистор полевой N-канальный (200В, 13A)		5	187.20
FR4 100X100X1.5 СТЕКЛОТЕКСТОЛИТ1-СТ				218.80
FR4 100X100X1.5 СТЕКЛОТЕКСТОЛИТ1-СТ		ЦПТА
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	400	43.35
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	1 296	13.49
SCS-20	Панель для микросхем в узком корпусе DIP	BM
SCS-20	Панель для микросхем в узком корпусе DIP		266	20.40
SCS-20	Панель для микросхем в узком корпусе DIP	KLS
SCS-20	Панель для микросхем в узком корпусе DIP	CONNFLY
SCS-20	Панель для микросхем в узком корпусе DIP	NXU
SCS-20	Панель для микросхем в узком корпусе DIP	NLT
ЗАЖИМ КРОКОДИЛ ETL-27.718		S-LINE