|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DC COMPONENTS
|
80 833
|
2.19
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
|
92 556
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC
|
1 111
|
2.35
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
1 171
|
1.78
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UTC
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP.
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YJ
|
489 062
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
1 024
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE
|
26 400
|
1.08
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
HOTTECH
|
206 303
|
1.44
>100 шт. 0.72
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GME
|
1
|
1.93
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSCJ
|
60 776
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
TRR
|
67 200
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSMICRO
|
314 974
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
SCS-20 |
|
Панель для микросхем в узком корпусе DIP
|
BM
|
1
|
11.67
|
|
|
|
SCS-20 |
|
Панель для микросхем в узком корпусе DIP
|
|
6 480
|
4.84
|
|
|
|
SCS-20 |
|
Панель для микросхем в узком корпусе DIP
|
KLS
|
|
|
|
|
|
SCS-20 |
|
Панель для микросхем в узком корпусе DIP
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
SCS-20 |
|
Панель для микросхем в узком корпусе DIP
|
NXU
|
5 520
|
8.86
|
|
|
|
SCS-20 |
|
Панель для микросхем в узком корпусе DIP
|
NLT
|
|
|
|
|
|
SCS-20 |
|
Панель для микросхем в узком корпусе DIP
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SCS-22 (2.54MM) |
|
|
AUK
|
|
|
|
|
|
SCS-22 (2.54MM) |
|
|
|
|
6.76
|
|
|
|
SCS-22 (2.54MM) |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
|
2 332
|
26.40
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
33.15
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
ЧИП 1206 510 5% |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
ЧИП 1206 510 5% |
|
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ЧИП 1206 510 5% |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|