Версия для печати
Технические характеристики FDS9435A

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	PowerTrench®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 5.3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	528pF @ 15V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN
Product Change Notification	Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007

FDS9435A (Мощные полевые МОП транзисторы) Single P-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Производитель: Fairchild Semiconductor //www.fairchildsemi.com FDS9435A datasheet 246.45Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIR
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FSC
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAI/QTC
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W		4 120	27.75
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIRCHILD
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIRCHILD
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	Fairchild Semiconductor
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FSC1
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	КИТАЙ
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ON SEMI/FAIRCH
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONSEMICONDUCTOR
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONS
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONS-FAIR
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	800	107.40
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	NXP
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...		66	79.55
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	NXP
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	DMS
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	МЕКСИКА
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	INFINEON
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	24
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	1
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	MINOS	715	28.41
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	EVVO
		KBL04		Диодный мост 4А, 400В, KBL	FAIR
		KBL04		Диодный мост 4А, 400В, KBL	DC COMPONENTS
		KBL04		Диодный мост 4А, 400В, KBL			64.00
		KBL04		Диодный мост 4А, 400В, KBL	FAIRCHILD
		KBL04		Диодный мост 4А, 400В, KBL	FAIRCHILD
		KBL04		Диодный мост 4А, 400В, KBL	Fairchild Semiconductor
		KBL04		Диодный мост 4А, 400В, KBL	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		KBL04		Диодный мост 4А, 400В, KBL	KINGTRONICS
		LM392N		Операционный усилитель, регулятор напряжения	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM392N		Операционный усилитель, регулятор напряжения		1	70.30
		LM392N		Операционный усилитель, регулятор напряжения	NSC
		LM392N		Операционный усилитель, регулятор напряжения	NATIONAL SEMICONDUCTOR	28
		LM392N		Операционный усилитель, регулятор напряжения	TEXAS
		TLP124(F)			Toshiba
		TLP124(F)			TOSHIBA
		TLP124(F)			TOS
		TLP124(F)

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"