| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
KNP100JR-73-470R |
|
|
Yageo
|
|
|
|
|
|
|
MF-0.125-100 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
MF-0.125-100 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
|
|
2.80
|
|
|
|
|
MF-0.125-2.00K 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 2кОм, 5%, 0.125Вт
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
MF-0.125-2.00K 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 2кОм, 5%, 0.125Вт
|
|
53
|
2.80
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
|
6 400
|
1.63
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
YJ
|
10 673
|
3.57
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
YSELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
KINGTRONICS
|
1 120
|
16.73
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
MIC
|
|
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
HOTTECH
|
23 600
|
1.76
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
SUNTAN
|
1 667
|
10.22
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
WUXI XUYANG
|
30 132
|
10.22
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
YANGJIE
|
39 600
|
2.94
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
1 916
|
31.68
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
30.60
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
1 916
|
32.00
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
Версия для печати
