Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | PNP |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 620mV @ 50mA, 500mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
Power - Max | 300mW |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23 |
Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
70 513
|
2.55
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD
|
119
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
1 733
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PHILIPS
|
4
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SILICONIX
|
98
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ZETEX
|
336
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NXP
|
395
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SILICON POWER
|
124
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
POWERSILICON INCORPORATED
|
122
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
GALAXY
|
503
|
2.24
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
2
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
|
64 037
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
80
|
8.40
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
11.34
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PHILIPS
|
80
|
11.34
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NEXPERIA
|
108
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
HOTTECH
|
10
|
2.14
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KLS
|
14 167
|
2.42
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
LGE
|
4
|
2.18
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YJ
|
478 554
|
1.09
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KOME
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DIOTEC
|
76 559
|
2.49
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YOUTAI
|
108 683
|
1.08
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
CJ
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UWM
|
156
|
1.34
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SUNTAN
|
16 404
|
1.47
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SHIKUES
|
8 239
|
1.67
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KUU
|
1 886
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
JSCJ
|
42 586
|
1.11
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SLKOR
|
155 520
|
1.54
|
|
|
|
BCW33 |
|
Транзистор NPN (Uce=32V, Ic=0.1A, P=250mW, B=420-800@I=2mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCW33 |
|
Транзистор NPN (Uce=32V, Ic=0.1A, P=250mW, B=420-800@I=2mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BCW33 |
|
Транзистор NPN (Uce=32V, Ic=0.1A, P=250mW, B=420-800@I=2mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCW33 |
|
Транзистор NPN (Uce=32V, Ic=0.1A, P=250mW, B=420-800@I=2mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
|
|
2.40
|
|
|
|
BCW33 |
|
Транзистор NPN (Uce=32V, Ic=0.1A, P=250mW, B=420-800@I=2mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BCW33 |
|
Транзистор NPN (Uce=32V, Ic=0.1A, P=250mW, B=420-800@I=2mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BCW33 |
|
Транзистор NPN (Uce=32V, Ic=0.1A, P=250mW, B=420-800@I=2mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
1 654
|
|
|
|
|
BCW33 |
|
Транзистор NPN (Uce=32V, Ic=0.1A, P=250mW, B=420-800@I=2mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
2 628
|
|
|
|
|
BCW33 |
|
Транзистор NPN (Uce=32V, Ic=0.1A, P=250mW, B=420-800@I=2mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BCW33 |
|
Транзистор NPN (Uce=32V, Ic=0.1A, P=250mW, B=420-800@I=2mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
BCW33 |
|
Транзистор NPN (Uce=32V, Ic=0.1A, P=250mW, B=420-800@I=2mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
PH / NXP
|
|
|
|
|
|
BCW33 |
|
Транзистор NPN (Uce=32V, Ic=0.1A, P=250mW, B=420-800@I=2mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
PH/NXP
|
4
|
2.48
|
|
|
|
LTA-1000HR |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LTA-1000HR |
|
|
|
86
|
111.00
|
|
|
|
LTA-1000HR |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LTA-1000HR |
|
|
Lite-On Inc
|
|
|
|
|
|
LTA-1000HR |
|
|
|
86
|
111.00
|
|
|
|
STPS0560Z |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
10 782
|
10.09
|
|
|
|
STPS0560Z |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STPS0560Z |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
6 992
|
|
|
|
|
STPS0560Z |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STPS0560Z |
|
|
|
15 680
|
7.40
|
|
|
|
STPS0560Z |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
STPS0560Z |
|
|
TOKMAS
|
16 961
|
3.11
|
|
|
|
ИОНИСТОР 0.33/5.5 1205H10 |
|
|
KORCHIP
|
|
|
|
|
|
ИОНИСТОР 0.33/5.5 1205H10 |
|
|
|
|
|
|