Версия для печати

2SK3299 (Дискретные сигналы) Switching N-channel Power Mos Fet Industrial Use Также в этом файле: 2SK3299-S, 2SK3299-ZJ Производитель: NEC //www.ncsd.necel.com 2SK3299 datasheet 80.78Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		D2SB60			SHIN
		D2SB60					126.00
		IRFU9024NPBF		Транзистор MOSFET, P-канал, Vси = -60В, Rоткр = 0.28 Ом, Ic = -8.8A, 42Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFU9024NPBF		Транзистор MOSFET, P-канал, Vси = -60В, Rоткр = 0.28 Ом, Ic = -8.8A, 42Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFU9024NPBF		Транзистор MOSFET, P-канал, Vси = -60В, Rоткр = 0.28 Ом, Ic = -8.8A, 42Вт	INFINEON
		IRFU9024NPBF		Транзистор MOSFET, P-канал, Vси = -60В, Rоткр = 0.28 Ом, Ic = -8.8A, 42Вт
		Z0103MN		Симистор (триак) smd (Vdrm=800V(max), It=1.0Arms(max))	PHILIPS
		Z0103MN		Симистор (триак) smd (Vdrm=800V(max), It=1.0Arms(max))	NXP
		Z0103MN		Симистор (триак) smd (Vdrm=800V(max), It=1.0Arms(max))	NXP
		Z0103MN		Симистор (триак) smd (Vdrm=800V(max), It=1.0Arms(max))	PHILIPS
		К237УН1		Микросхема - предварительный усилитель усилитель НЧ, 60 ...10кГц, 5.6 ...10В, 60мВт, ...		149	7.00
		К237УН1		Микросхема - предварительный усилитель усилитель НЧ, 60 ...10кГц, 5.6 ...10В, 60мВт, ...	ВИННИЦА
		К237УН1		Микросхема - предварительный усилитель усилитель НЧ, 60 ...10кГц, 5.6 ...10В, 60мВт, ...	ОКТЯБРЬ	4	76.50
		ЭПСН 220В 40ВТ С КЕРАМИЧЕСКИМ НАГРЕВАТЕЛЕМ					920.00

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"