SI4840DY-T1

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI4840DY-T1 (SILICONIX.)	391	3-4 недели Цена по запросу
SI4840DY-T1 (VISHAY.)	781	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SI4840DY-T1

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 14A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	28nC @ 5V
Power - Max	1.56W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC1398		MATSUSHITA
2SC1398
30BQ040	Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52	VISHAY
30BQ040	Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52	SENSITRON
30BQ040	Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52	INTERNATIONAL RECTIFIER	400	48.45
30BQ040	Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52		32	21.12
30BQ040	Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52	SENSITRON
30BQ040	Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52	Vishay/Semiconductors
30BQ040	Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52	HOTTECH	8 471	13.60
30BQ040	Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52	1
30BQ040	Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52	SMCMICRO	319	34.83
30BQ040	Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52	LGE	4 246	16.10
30BQ040	Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52	KEENSIDE	118	6.66
MJE800G		ON SEMICONDUCTOR
MJE800G		ON SEMICONDUCTOR
MJE800G
MJE800G		ON SEMICONDUCTO
MJE800G		ONS
TPS40210DGQR		TEXAS INSTRUMENTS
TPS40210DGQR		TEXAS INSTRUMENTS
TPS40210DGQR		TEXAS
TPS40210DGQR			149	140.98
ПАЯЛЬНАЯ НАСАДКА М20-DC-02 ВОЛНА 2.5 ММ		RUS
ПАЯЛЬНАЯ НАСАДКА М20-DC-02 ВОЛНА 2.5 ММ		НТЦ МАГИСТР