|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | TrenchFET® |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 4.7A, 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.7A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 19nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1020pF @ 10V |
Power - Max | 750mW |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0603-47К 1% | ЧИП — резистор 47кОм, 1% | FAITHFUL LINK | ||||||
0603-47К 1% | ЧИП — резистор 47кОм, 1% |
0.72 >500 шт. 0.24 |
||||||
1206-3.30K 5% | ЧИП — резистор | 1 075 |
0.96 >500 шт. 0.32 |
|||||
CAT16-102J4 | 4х1 кОм, ЧИП резисторная сборка (SMD) | BOURNS | ||||||
CAT16-102J4 | 4х1 кОм, ЧИП резисторная сборка (SMD) | BOURNS | ||||||
IDTQS3861PA | IDT | |||||||
IDTQS3861PA | 96.00 | |||||||
IDTQS3861PA | IDT | 1 | ||||||
LIS331HH | 3-осевой, ±6g/±12g/±24g, сверхмалопотребляющий датчик ускорения семейства nano с ... | ST MICROELECTRONICS | ||||||
LIS331HH | 3-осевой, ±6g/±12g/±24g, сверхмалопотребляющий датчик ускорения семейства nano с ... | 1 565.20 | ||||||
LIS331HH | 3-осевой, ±6g/±12g/±24g, сверхмалопотребляющий датчик ускорения семейства nano с ... | ST MICROELECTRONICS SEMI | ||||||
LIS331HH | 3-осевой, ±6g/±12g/±24g, сверхмалопотребляющий датчик ускорения семейства nano с ... | STMicroelectronics | ||||||
LIS331HH | 3-осевой, ±6g/±12g/±24g, сверхмалопотребляющий датчик ускорения семейства nano с ... | МАЛЬТА |
|