|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SD667 |
|
Биполярный транзистор NPN 120V, 1A, 0.9W, 140MHz
|
HITACHI
|
|
|
|
|
|
2SD667 |
|
Биполярный транзистор NPN 120V, 1A, 0.9W, 140MHz
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
2SD667 |
|
Биполярный транзистор NPN 120V, 1A, 0.9W, 140MHz
|
HIT
|
|
|
|
|
|
2SD667 |
|
Биполярный транзистор NPN 120V, 1A, 0.9W, 140MHz
|
|
|
14.68
|
|
|
|
2SK1058 |
|
Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
2SK1058 |
|
Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
2SK1058 |
|
Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W
|
RENS
|
|
|
|
|
|
2SK1058 |
|
Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W
|
|
|
409.64
|
|
|
|
2SK1058 |
|
Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W
|
HITACHI
|
|
|
|
|
|
2SK1058 |
|
Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W
|
Renesas Electronics America
|
|
|
|
|
|
2SK1058 |
|
Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
2SK1058 |
|
Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
7812C |
|
Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C
|
|
1
|
18.96
|
|
|
|
7812C |
|
Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
7812C |
|
Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C
|
ANK
|
|
|
|
|
|
7812C |
|
Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
7812C |
|
Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
IRF510PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)
|
VISHAY
|
104
|
75.77
|
|
|
|
IRF510PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)
|
|
77
|
139.04
|
|
|
|
IRF510PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF510PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRF510PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
ST MICROELECTRONICS
|
26
|
489.60
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
|
1
|
544.80
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
1
|
|
|
|