|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SA1695 |
|
Биполярный транзистор PNP (Hi-Fi, 140V, 10A, 100W, 20MHz)
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
2SA1695 |
|
Биполярный транзистор PNP (Hi-Fi, 140V, 10A, 100W, 20MHz)
|
SK
|
|
|
|
|
|
2SA1695 |
|
Биполярный транзистор PNP (Hi-Fi, 140V, 10A, 100W, 20MHz)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2SA1695 |
|
Биполярный транзистор PNP (Hi-Fi, 140V, 10A, 100W, 20MHz)
|
|
|
188.48
|
|
|
|
2SA1695 |
|
Биполярный транзистор PNP (Hi-Fi, 140V, 10A, 100W, 20MHz)
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
2SA1695 |
|
Биполярный транзистор PNP (Hi-Fi, 140V, 10A, 100W, 20MHz)
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
|
1
|
38.40
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
HOTTECH
|
8 800
|
15.74
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
1
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
|
|
937.60
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
SQP500JB-22R |
|
|
Yageo
|
2 232
|
11.25
|
|
|
|
SQP500JB-22R |
|
|
|
|
|
|
|
|
SQP700JB-0R47 |
|
|
YAGEO
|
|
|
|