HSG1002VE-TL-E


Купить HSG1002VE-TL-E ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
HSG1002VE-TL-E IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4 IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4
Версия для печати

Технические характеристики HSG1002VE-TL-E

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)3.5V
Frequency - Transition38GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
Gain8dB ~ 19.5dB
Power - Max200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 5mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max)35mA
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)4-MFP
Корпус4-MFPAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


HSG1002VE-TL-E datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход