KPT-2012CGCK

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
KPT-2012CGCK (KGB)	15 082	9.06

Светодиод для поверхностного монтажа 2.0х1.25мм

Размер корпуса 2.0х1.25х0.75мм.
Малое потребление.
Широкий угол обзора.
Идеален для подсветки и индикаторов.
Доступны различные цвета и типы линз.
Уровень чувствительности к влажности - 3.
RoHS совместимый.

Версия для печати

Технические характеристики KPT-2012CGCK

	120
IF (тип.),мА	20
	570
IV,мКд	от 10 до 40
F">VF (тип.),В	2.1
Цвет	Зеленый (InGaAlP)
Корпус	SMD 0805
Тип линзы	Прозрачная

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

KPT-2012CGCK (Светодиоды)

Светодиод для поверхностного монтажа 2.0х1.25мм

Производитель:
Kingbright

KPT-2012CGCK datasheet
179 Кб

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1533ИР24			1	1 760.00
1533ИР24		ИНТЕГРАЛ	93	1 666.35
1533ИР24		МИНСК	1	1 100.00
1533ИР24		1
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	RECTIFIER
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	VISHAY
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	ST MICROELECTRONICS
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	PHILIPS
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт			70.24
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	PHILIPS	14
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	Vishay/Siliconix
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	STMicroelectronics
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	КИТАЙ
LM317MDTG		ON SEMICONDUCTOR
LM317MDTG			10	68.40
LM317MDTG		ONS
LM317MDTG		ONSEMICONDUCTOR
RX27-1 12 ОМ 5W 5% / SQP5			151	6.36
RX27-1 12 ОМ 5W 5% / SQP5		XIN HUA
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	660	472.32
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс			141.80