|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
LG400M0680BPF-3550 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 680 мкФ 400 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
LG400M0680BPF-3550 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 680 мкФ 400 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
LG400M0680BPF-3550 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 680 мкФ 400 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
TDA7294 |
|
УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA7294 |
|
УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W
|
|
|
229.48
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
ST MICROELECTRONICS
|
26
|
489.60
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
|
1
|
544.80
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
1
|
|
|
|
|
|
Д242 |
|
Диод кремниевый, диффузионный для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
|
180
|
236.25
|
|
|
|
Д242 |
|
Диод кремниевый, диффузионный для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
Д242 |
|
Диод кремниевый, диффузионный для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
Д242 |
|
Диод кремниевый, диффузионный для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
Д242 |
|
Диод кремниевый, диффузионный для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
СЗТП
|
52
|
306.00
|
|
|
|
Д242 |
|
Диод кремниевый, диффузионный для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
Д242 |
|
Диод кремниевый, диффузионный для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КТ399АМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ...
|
|
|
38.20
|
|
|
|
КТ399АМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ...
|
СВЕТЛАНА
|
80
|
43.35
|
|
|
|
КТ399АМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ...
|
RUS
|
|
|
|