|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4742A T/B |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
DC COMPONENTS
|
2 826
|
4.66
|
|
|
|
1N4742A T/B |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4742A T/B |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C20 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA
|
|
3 505
|
5.28
|
|
|
|
BZX55C20 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C20 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C20 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C20 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C20 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C20 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C20 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C20 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C20 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C20 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C20 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C20 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA
|
LGE
|
24 400
|
1.12
|
|
|
|
BZX55C20 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFPE50 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFPE50 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFPE50 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...
|
|
256
|
173.57
|
|
|
|
IRFPE50 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFPE50 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MAX232ECSE |
|
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
MAX232ECSE |
|
|
|
|
335.56
|
|
|
|
MAX232ECSE |
|
|
MAXIM
|
1
|
|
|
|
|
MAX232ECSE |
|
|
MAX
|
|
|
|
|
|
TPIC6B273N |
|
Микросхема 8х мощ. D-защелка
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TPIC6B273N |
|
Микросхема 8х мощ. D-защелка
|
|
|
151.20
|
|
|
|
TPIC6B273N |
|
Микросхема 8х мощ. D-защелка
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TPIC6B273N |
|
Микросхема 8х мощ. D-защелка
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TPIC6B273N |
|
Микросхема 8х мощ. D-защелка
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|