Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1206-X7R-0.033UF 10% 50V		Керамический конденсатор 0.033 мкФ, 50 В, 10%	KOME
		1206-X7R-0.033UF 10% 50V		Керамический конденсатор 0.033 мкФ, 50 В, 10%			3.24
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	FTDI
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB			560.00
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	FUTURE TECH DEVICES INTER
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	FUTURE TECH DEVICES INTER LTD
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	КИТАЙ
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	FUTURE TECHNOLO
		FT232RL		Микросхема двунаправленный преобраз. USB	FUTURE TECHNOLOGY
		LM2937ES-3.3/NOPB		Стабилизатор 3,3V 0,5A	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2937ES-3.3/NOPB		Стабилизатор 3,3V 0,5A	NSC
		LM2937ES-3.3/NOPB		Стабилизатор 3,3V 0,5A	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2937ES-3.3/NOPB		Стабилизатор 3,3V 0,5A	TEXAS
		LM2937ES-3.3/NOPB		Стабилизатор 3,3V 0,5A	TEXAS INSTRUMEN
		LM2937ES-3.3/NOPB		Стабилизатор 3,3V 0,5A	TEXAS INSTRUMENTS
		LM2937ES-3.3/NOPB		Стабилизатор 3,3V 0,5A		4
		LM809M3-4.63		Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM809M3-4.63		Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))			42.12
		LM809M3-4.63		Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))	NSC
		LM809M3-4.63		Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))	США
		LM809M3-4.63		Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		LM809M3-4.63		Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))	NATIONAL SEMICONDUCTOR	52
		LM809M3-4.63		Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))	TEXAS
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	163	442.80
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс			141.80

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"