Корпус (размер) | 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Тип осцилятора | Internal |
Преобразователи данных | A/D 7x10b |
Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 4.2 V ~ 5.5 V |
Размер памяти | 256 x 8 |
EEPROM Size | 256 x 8 |
Тип программируемой памяти | FLASH |
Размер программируемой памяти | 4KB (2K x 16) |
Число вводов/выводов | 16 |
Периферия | Brown-out Detect/Reset, LVD, POR, PWM, WDT |
Подключения | UART/USART |
Скорость | 40MHz |
Размер ядра | 8-Bit |
Процессор | PIC |
Серия | PIC® 18F |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
|
|
15.04
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
|
|
14.92
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
BF998WR |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BF998WR |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BF998WR |
|
|
|
|
|
|
|
|
BF998WR |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BF998WR |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
PIC16F627A-I/P |
|
1KX14 FLASH 16I/O 20MHZ DIP18
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F627A-I/P |
|
1KX14 FLASH 16I/O 20MHZ DIP18
|
|
|
338.28
|
|
|
|
PIC16F627A-I/P |
|
1KX14 FLASH 16I/O 20MHZ DIP18
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F627A-I/P |
|
1KX14 FLASH 16I/O 20MHZ DIP18
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
PIC16F627A-I/P |
|
1KX14 FLASH 16I/O 20MHZ DIP18
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
PIC16F627A-I/P |
|
1KX14 FLASH 16I/O 20MHZ DIP18
|
MICRO CHIP
|
320
|
|
|
|
|
TSA5511AT |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
TSA5511AT |
|
|
|
|
476.16
|
|