|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
|
|
13.60
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
INFINEON
|
54
|
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
|
676
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
TELEFUNKEN
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
TEMIC
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
TELEFUNKEN
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
TEMIC
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
ФИНЛЯНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
DC COMPONENTS
|
30 447
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
TFK
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
KLS
|
5 679
|
1.28
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
ТАЙВАНЬ
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
GOOD-ARK
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
GOOD ARK
|
184
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
БРЕСТ
|
6 984
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
КИТАЙ
|
80
|
6.63
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
|
24 389
|
1.51
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
SEMTECH
|
2 024
|
1.85
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
KINGTRONICS
|
73
|
3.94
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
TEMIC
|
20
|
2.14
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 581
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
SUNTAN
|
1 896
|
1.56
|
|
|
|
TLE5205-2 |
|
|
|
|
589.12
|
|
|
|
TLE5205-2 |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
TLE5205-2 |
|
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
TLE5205-2 |
|
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
TLE5205-2 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
2
|
35.20
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
8 120
|
34.00
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|