|
Температурный коэфициент | 750 ppm/°C Typical |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Число шагов | 256 |
Тип памяти | Volatile |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус | 14-PDIP |
Корпус (размер) | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
Напряжение питания | 4.5 V ~ 5.5 V |
Интерфейс подключения | 3-Wire Serial |
Число каналов | 2 |
Сопротивление (Ом) | 50K |
DS1267 (Потенциометры) Dual Digital Potentiometer Chip Также в этом файле: DS1267-050
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIP14-S | Панель DIP-14S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм. | HSUAN MAO | ||||||
DIP14-S | Панель DIP-14S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм. | 4.00 | ||||||
DIP18-S | Панель DIP-18S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм | NELTON | ||||||
DIP18-S | Панель DIP-18S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм | 6.00 | ||||||
DIP18-S | Панель DIP-18S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм | NELTRON | ||||||
DIP18-S | Панель DIP-18S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм | HSUAN MAO | ||||||
КТ315Г | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В | 62 948 | 7.04 | |||||
КТ315Г | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В | НАЛЬЧИК | ||||||
ПЛАТА SOIC-14 И SSOP-14 | ||||||||
ПЛАТА SOIC-14 И SSOP-14 | ||||||||
ПЛАТА SOIC-14 И SSOP-14 | КИТАЙ | |||||||
ФЛЮС СПИРТО-КАНИФОЛЬНЫЙ 25МЛ | 113.36 |
|