NAND512W3A2DN6E
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Формат памяти | FLASH |
| Тип памяти | FLASH - NAND |
| Объем памяти | 512M (64M x 8) |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Напряжение питания | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Корпус | 48-TSOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
3314G-1-502E |
|
Подстроечный резистор 5 кОм | BOURNS | 320 | 39.80 | ||
|
|
3314G-1-502E |
|
Подстроечный резистор 5 кОм | BOURNS |
|
|
||
|
|
3314G-1-502E |
|
Подстроечный резистор 5 кОм | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3314G-1-502E |
|
Подстроечный резистор 5 кОм |
|
168.00 | |||
| LG250M0100BPF-2225 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 250 В | YAGEO |
|
|
|||
| LG250M0100BPF-2225 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 250 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| LG250M0100BPF-2225 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 250 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
 |
 |
SDR0604-100ML |
|
Индуктивность 10мкГн SMD 5,8x4,8mm | BOURNS | 640 | 40.34 | |
|
|
|
SDR0604-100ML |
|
Индуктивность 10мкГн SMD 5,8x4,8mm |
|
112.00 | ||
|
|
|
SDR0604-100ML |
|
Индуктивность 10мкГн SMD 5,8x4,8mm | ВОURNS |
|
|
|
 |
|
SDR1006-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн SMD 9,8x5,8mm | BOURNS |
|
|
|
|
|
|
SDR1006-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн SMD 9,8x5,8mm |
|
|
||
| SH400M0100B7F-1836 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 400 В | YAGEO |
|
|
|||
| SH400M0100B7F-1836 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 400 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
