IXTH12N120

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IXTH12N120		3 131.60

Версия для печати

Технические характеристики IXTH12N120

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	95nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3400pF @ 25V
Power - Max	500W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247AD
Корпус	TO-247AD

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTH12N120 (MOSFET)

Power MOSFET, Avalanche Rated High Voltage

Производитель:
IXYS

IXTH12N120 datasheet
545.5 Кб