|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
0805-NP0-470PF 5% 50V |
|
Керамический конденсатор чип 470пФ, 50 В, 5%, NP0
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
0805-NP0-470PF 5% 50V |
|
Керамический конденсатор чип 470пФ, 50 В, 5%, NP0
|
|
|
1.28
|
|
|
|
0805-X7R-0.015UF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор чип поверхностный монтаж 0.015мкФ, 50В, 10%
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
0805-X7R-0.015UF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор чип поверхностный монтаж 0.015мкФ, 50В, 10%
|
|
|
1.28
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
|
4
|
340.00
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STP62NS04Z |
|
N-channel clamped 12.5m? - 62a - to-220 fully protected mesh overlay™ power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STP62NS04Z |
|
N-channel clamped 12.5m? - 62a - to-220 fully protected mesh overlay™ power mosfet
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP62NS04Z |
|
N-channel clamped 12.5m? - 62a - to-220 fully protected mesh overlay™ power mosfet
|
|
|
|
|
|
|
SWT-20-4.3 |
|
Коммутируемый ток / напряжение 50 мА / 12В Количество переключений 1000000 Рабочий ...
|
JIA
|
|
|
|
|
|
SWT-20-4.3 |
|
Коммутируемый ток / напряжение 50 мА / 12В Количество переключений 1000000 Рабочий ...
|
|
|
4.80
|
|
|
|
SWT-20-4.3 |
|
Коммутируемый ток / напряжение 50 мА / 12В Количество переключений 1000000 Рабочий ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|