Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
SCR Type | Standard Recovery |
Voltage - Off State | 650V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 1.5V |
Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.75V |
Current - On State (It (AV)) (Max) | 13A |
Current - On State (It (RMS)) (Max) | 20A |
Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 32mA |
Current - Hold (Ih) (Max) | 60mA |
Current - Off State (Max) | 1mA |
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 200A, 220A |
Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
DC COMPONENTS
|
22 188
|
2.10
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
|
21 200
|
1.26
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
998
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
RECTRON
|
105
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
КИТАЙ
|
400
|
4.91
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
NINGBO
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
MIC
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
QUAN-HONG
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
WUXI XUYANG
|
1 224
|
2.56
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
HOTTECH
|
27 200
|
1.54
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
YANGJIE
|
12 000
|
1.76
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
1
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
NY
|
11 904
|
2.10
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
YJ
|
2 758
|
1.96
|
|
|
|
NJM4580D |
|
|
MATSUSHITA
|
|
|
|
|
|
NJM4580D |
|
|
JRC
|
1 284
|
24.19
|
|
|
|
NJM4580D |
|
|
|
4
|
68.04
|
|
|
|
NJM4580D |
|
|
JRC
|
|
|
|
|
|
NJM4580D |
|
|
NJR
|
|
|
|
|
|
NJM4580D |
|
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
NJM4580D |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
NJM4580D |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
684
|
|
|
|
|
SDR0906-221KL |
|
Индуктивность 220мкГн SMD
|
|
|
89.92
|
|
|
|
SDR0906-221KL |
|
Индуктивность 220мкГн SMD
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
UF4003 |
|
Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
UF4003 |
|
Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс
|
SENSITRON
|
|
|
|
|
|
UF4003 |
|
Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс
|
SMK
|
|
|
|
|
|
UF4003 |
|
Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
UF4003 |
|
Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
UF4003 |
|
Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс
|
|
|
3.40
|
|
|
|
UF4003 |
|
Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
UF4003 |
|
Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
UF4003 |
|
Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
UF4003 |
|
Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
UF4003 |
|
Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
UF4003 |
|
Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс
|
YJ
|
|
|
|
|
|
UPC1892CT |
|
ИМС АУД.ПРОЦЕС.DIP30
|
NEC
|
|
|
|
|
|
UPC1892CT |
|
ИМС АУД.ПРОЦЕС.DIP30
|
|
1
|
226.80
|
|
|
|
UPC1892CT |
|
ИМС АУД.ПРОЦЕС.DIP30
|
СЕВЕРНАЯ КОРЕЯ
|
|
|
|
|
|
UPC1892CT |
|
ИМС АУД.ПРОЦЕС.DIP30
|
КОРЕЯ, НАРОДНО-
|
|
|
|
|
|
UPC1892CT |
|
ИМС АУД.ПРОЦЕС.DIP30
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
UPC1892CT |
|
ИМС АУД.ПРОЦЕС.DIP30
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
97
|
|
|