|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3296P-1-104 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
3296P-1-104 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3296P-1-104 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3296P-1-104 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный
|
|
|
21.16
|
|
|
|
3296P-1-104 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3296P-1-104 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3296P-1-104 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
3296P-1-104 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
|
62 860
|
1.12
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
800
|
7.56
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
8 557
|
1.25
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
OTHER
|
12 800
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
1 424
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
7 139
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YJ
|
233 328
|
1.32
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
278 100
|
1.82
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SEMTECH
|
4
|
2.90
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YOUTAI
|
55 113
|
1.38
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
9 674
|
1.95
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
120 700
|
1.11
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SHIKUES
|
12 164
|
1.74
|
|
|
|
CERCAP 1000p/50V 1206 KX7R |
|
Керамический конденсатор 1000 пФ 50 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
SY025M0470B5S-1015 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 25 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
SY025M0470B5S-1015 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 25 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SY025M0470B5S-1015 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 25 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SY025M0470B5S-1015 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 25 В
|
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
ALLEGRO
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
3 016
|
131.26
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
|
8
|
52.00
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
ALLEGRO
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
TOSHIBA
|
16
|
52.50
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
ALLEGRO MICROSYSTEMS INC
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
TOS
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
YOUTAI
|
5 035
|
12.22
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
UMW
|
11 200
|
15.50
|
|
|
|
ULN2803A |
|
8 нижних ключей на составных транзисторах (вход-TTL, CMOS 5V:выход-50V, 0.5A:-40 to +85C)
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|