RES 2512 1R 1%

Версия для печати

Технические характеристики RES 2512 1R 1%

Производитель	KOME
Количество в упаковке	1 шт.
Вес	0.050 г
Номинальное сопротивление	1 Ом
Допуск сопротивления	±1%
Номинальная мощность	1 Вт
Тип монтажа	SMD_2512
	RES_CR2512

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRF5305S	Транзистор полевой SMD	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF5305S	Транзистор полевой SMD		526	45.88
IRF5305S	Транзистор полевой SMD	INTERNATIONAL RECTIFIER	32
IRF5305S	Транзистор полевой SMD	INFINEON
IRF5305S	Транзистор полевой SMD	VBSEMI
IRF5305S	Транзистор полевой SMD	EVVO	618	42.19
IRF5305S	Транзистор полевой SMD	JSMICRO	464	43.09
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	ON SEMICONDUCTOR
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	INFINEON
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	LRC
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	MOTOROLA
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц			2.44
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	ONS
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	INFINEON
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	LRC
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	MOTOROLA	2 041
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	ON SEMICONDUCTOR	1 733
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	OTHER	92
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	Infineon Technologies
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	ONS-FAIR
RES 0603 1K5 1%		YAGEO
RES 0603 75K 1%		YAGEO
TLP281	Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=80V, CurTr(min)=100%5mA	TOSHIBA
TLP281	Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=80V, CurTr(min)=100%5mA		24	123.20
TLP281	Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=80V, CurTr(min)=100%5mA	TOSHIBA
TLP281	Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=80V, CurTr(min)=100%5mA	TOS
TLP281	Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=80V, CurTr(min)=100%5mA	ISOMICR	828	12.70