| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
|
139
|
4.20
|
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
2 192
|
4.00
|
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
ЭЛЕКС
|
968
|
15.30
|
|
|
|
 |
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
|
3 695
|
21.60
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
ДНЕПР
|
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
МИНСК
|
64
|
24.00
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
АЗОН
|
|
|
|
|
|
|
КР1157ЕН5А |
|
5B. 100мА
|
|
40
|
17.60
|
|
|
|
|
КР1157ЕН5А |
|
5B. 100мА
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
40.80
|
|
|
|
|
КР1157ЕН5А |
|
5B. 100мА
|
БРЯНСК
|
339
|
16.00
|
|
|
|
|
КР1157ЕН5А |
|
5B. 100мА
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ315И ЖЕЛТ. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ315И ЖЕЛТ. |
|
|
КВАРЦИТ
|
71 144
|
2.00
|
|
|
|
|
КТ315И ЖЕЛТ. |
|
|
НАЛЬЧИК
|
23 576
|
2.00
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
345
|
31.50
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
35.70
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
3 091
|
36.00
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
6
|
40.34
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
Версия для печати
