IXFX64N60P

Версия для печати

Технические характеристики IXFX64N60P

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PolarHV™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	96 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	64A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	200nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	12000pF @ 25V
Power - Max	1040W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	PLUS247™-3
Корпус	PLUS247™-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFX64N60P (MOSFET)

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXFX64N60P datasheet
169.9 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	CHINA
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	MIC	7 284	6.68
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	DC COMPONENTS	2 585	9.50
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В		24 200	7.46
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	Micro Commercial Co
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	GALAXY
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	KINGTRONICS
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	КИТАЙ	400	33.15
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	YJ
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	LGE	104	9.84
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	SUNTAN	475	13.82
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	WUXI XUYANG
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	YANGJIE	160	12.43
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	YANGJIE (YJ)
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	KOME
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	TRR
DSP25-12A		IXYS
DSP25-12A			1	1 230.36
DSP25-16A		IXYS
DSP25-16A
IXFX64N50P	Polarhv hiperfet power mosfet	IXYS
IXFX64N50P	Polarhv hiperfet power mosfet
MAL215957471E3	Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 450 В	VISHAY
MAL215957471E3	Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 450 В	Vishay/BC Components
MAL215957471E3	Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 450 В