10CTQ150PBF
Диод Шоттки 150V 10A(2x5)
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 930mV @ 5A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50µA @ 150V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 5A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
40CPQ080 |
|
2 диода Шоттки 40А 80В TO247 | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
40CPQ080 |
|
2 диода Шоттки 40А 80В TO247 | RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
40CPQ080 |
|
2 диода Шоттки 40А 80В TO247 | 140 | 346.72 | ||
|
|
|
40CPQ080 |
|
2 диода Шоттки 40А 80В TO247 | Vishay/Semiconductors |
|
|
|
|
|
|
40CPQ080 |
|
2 диода Шоттки 40А 80В TO247 | VISHAY/IR |
|
|
|
| К73-9-3300ПФ 630В (5%) |
|
|
||||||
| КД213В | 476 | 40.48 | ||||||
| КД213В | ФОТОН | 96 | 36.00 | |||||
| КД213В | СЗТП | 8 | 265.20 | |||||
| КД213В | САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО |
|
|
|||||
| КР1033ЕУ15А |
|
80.64 | ||||||
| КР1033ЕУ15А | СИТ |
|
|
|||||
 |
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | КРЕМНИЙ | 114 | 1 147.50 | |
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | 23 | 598.40 | ||
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | БРЯНСК | 187 | 1 250.00 | |
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | СИТ |
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | RUS |
|
|
