|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
SN74HCT08D |
|
(SMD) SO14
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
SN74HCT08D |
|
(SMD) SO14
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
SN74HCT08D |
|
(SMD) SO14
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
SN74HCT08D |
|
(SMD) SO14
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
SN74HCT08D |
|
(SMD) SO14
|
|
|
|
|
|
|
SN74HCT08D |
|
(SMD) SO14
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
SN74HCT08D |
|
(SMD) SO14
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
150
|
|
|
|
|
К78-2-1000-1000 10% |
|
Плёночный конденсатор 1000 пФ 1000 В
|
|
|
46.00
|
|
|
|
К78-2-1000-1000 10% |
|
Плёночный конденсатор 1000 пФ 1000 В
|
ПОЛИКОНД
|
|
|
|
|
|
К78-2-1000-1000 10% |
|
Плёночный конденсатор 1000 пФ 1000 В
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
К78-2-1000-1000 10% |
|
Плёночный конденсатор 1000 пФ 1000 В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
|
5 370
|
7.36
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
БРЕСТ
|
424
|
16.53
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
|
5 370
|
7.36
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
СЗТП
|
52
|
15.12
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
ЦВЕТОТРОН
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
ЦВЕТОТРОН (БРЕСТ)
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
|
20.40
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
6 740
|
37.80
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
С2-33Н-0.125-510К 10% |
|
|
|
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|