|
Корпус | PG-SOT343-4 |
Корпус (размер) | SC-82A, SOT-343 |
Тип монтажа | Поверхностный |
Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 20mA, 4V |
Power - Max | 160mW |
Gain | 21dB |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1.8GHz |
Frequency - Transition | 25GHz |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5V |
Transistor Type | NPN |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
BFP420 NPN Silicon RF Transistor (For high gain low noise amplifiers For oscillators up to 10 GHz)
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BFG540/XR.215 | NXP | |||||||
BFG540/XR.215 | ||||||||
GCM1885C1H221JA16D | Murata Electronics North America | |||||||
GCM1885C1H221JA16D | MUR | |||||||
GCM1885C1H221JA16D | ||||||||
GCM1885C1H221JA16D | MURATA | 400 |
1.96 >100 шт. 0.98 |
|||||
PVZ3A104C01R00 | Murata Electronics North America | |||||||
PVZ3A104C01R00 | MUR | |||||||
PVZ3A104C01R00 | ||||||||
PVZ3A104C01R00 | MURATA | |||||||
RLB1314-103KL | Индуктивность 10000μH 0,1A 11,7x12mm | BOURNS | 4 | 55.53 | ||||
RLB1314-103KL | Индуктивность 10000μH 0,1A 11,7x12mm | 132.00 | ||||||
КД409А9 | 980 | 8.80 | ||||||
КД409А9 | МИНСК | |||||||
КД409А9 | ИНТЕГРАЛ |
|