BTS650P

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BTS650P		251.00

Версия для печати

Технические характеристики BTS650P

Корпус	P-TO220-7
Корпус (размер)	TO-220-7 Formed Leads
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C
Напряжение питания	5 V ~ 34 V
Ток - выходной (пиковое значение)	130A
Ток выходной / канал	70A
Сопротивление (On-State)	4.4 mOhm
Число выходов	1
Тип входа	Non-Inverting
Тип	High Side
Серия	PROFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BTS650P

Smart Highside High Current Power Switch (overload Protection Current Limitation Short Circuit Protection Overtemperature Protection)

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

BTS650P datasheet
190.69Kb
16стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BTS409L1	Микросхема High-Side переключ. 43В, 2,3A	INFINEON	8	469.20
BTS409L1	Микросхема High-Side переключ. 43В, 2,3A			235.44
BTS409L1	Микросхема High-Side переключ. 43В, 2,3A	Infineon Technologies
BTS409L1	Микросхема High-Side переключ. 43В, 2,3A	INFINEON
BTS409L1	Микросхема High-Side переключ. 43В, 2,3A	INFINEON TECH
BTS426L1		Infineon Technologies
BTS426L1
BTS426L1
BTS721L1	Транзистор полевой 43В, 2.9A	INFINEON	1 310	240.00
BTS721L1	Транзистор полевой 43В, 2.9A	SIEMENS
BTS721L1	Транзистор полевой 43В, 2.9A			860.00
BTS721L1	Транзистор полевой 43В, 2.9A	Infineon Technologies
BTS721L1	Транзистор полевой 43В, 2.9A	INFINEON TECH
BTS721L1	Транзистор полевой 43В, 2.9A	TECHNOHOME
EN80C196KC20		Intel
EN80C196KC20
MC68HC11E1CFN2
MC68HC11E1CFN2		Freescale Semiconductor
MC68HC11E1CFN2		MOTOROLA
MC68HC11E1CFN2		NXP SEMICONDUCTOR