DS1230Y-100
Микросхема памяти SRAM 256кб, 32*8кб, 100нс 4.75В... 5.25В, 85мА
|
Микросхема памяти SRAM |
Версия для печати
| Корпус | 28-EDIP |
| Корпус (размер) | 28-DIP Module (600 mil), 28-EDIP |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Напряжение питания | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Скорость | 100ns |
| Объем памяти | 256K (32K x 8) |
| Тип памяти | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Формат памяти | RAM |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Микросхема памяти SRAM 256кб, 32*8кб, 100нс 4.75В... 5.25В, 85мА
|
