DS1265Y-70IND
NV SRAM 8Мбит Ind DIP36
Версия для печати
Технические характеристики DS1265Y-70IND
| Корпус | 36-EDIP |
| Корпус (размер) | 36-DIP Module (600 mil), 36-EDIP |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Напряжение питания | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Скорость | 70ns |
| Объем памяти | 8M (1M x 8) |
| Тип памяти | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Формат памяти | RAM |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | ПК16-12А3001
Предназначен для установки на монтажную панель (внутри шкафа) 'Напряжение, В постоянного тока 1-30 переменного тока 1-250 Ток, А постоянный...
1909.68 руб Купить |
 | DFC15U48D15
Dc/dc преобразователь мощностью 10 вт
Купить |
 | FDB8832
N-channel logic level powertrench mosfet
Купить |
