|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3296W-1-103 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
3296W-1-103 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3296W-1-103 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3296W-1-103 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``
|
|
|
32.00
|
|
|
|
3296W-1-103 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3296W-1-103 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3296W-1-103 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
3296W-1-103 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
3296W-1-103 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``
|
BOCHEN
|
30 626
|
8.93
|
|
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт
|
|
320
|
10.00
|
|
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт
|
VISHAY
|
7 741
|
|
|
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт
|
Vishay/Dale
|
|
|
|
|
|
IRF9610 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF9610 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF9610 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C)
|
|
|
64.36
|
|
|
|
IRF9610 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF9610 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF9610 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C)
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC
|
25 410
|
2.38
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JIANGSU CHANJIANG ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES INC.
|
16
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIRCHILD
|
48
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
|
48 968
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
HOTTECH
|
47 840
|
1.82
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
YJ
|
47 259
|
1.28
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JSCJ
|
43 610
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ASEMI
|
8 256
|
1.02
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
|
|
3.56
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ONS
|
130 165
|
2.25
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
5 858
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|