IRFBC40APBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFBC40APBF (VISHAY)	656	265.68
IRFBC40APBF	304	105.17

Версия для печати

Технические характеристики IRFBC40APBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 3.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	42nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1036pF @ 25V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFBC40APBF (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFBC40APBF datasheet
200.9 Кб