FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 3.2A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.4A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V |
Power - Max | 40W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack, Isolated |
Корпус | TO-220-3 |
IRFI740G (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF740 | N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRF740 | N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А | VISHAY | ||||||
IRF740 | N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А | ST MICROELECTRONICS | ||||||
IRF740 | N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А | 4 941 | 23.77 | |||||
IRF740 | N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRF740 | N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А | ST MICROELECTRONICS SEMI | ||||||
IRF740 | N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А | Vishay/Siliconix | ||||||
IRF740 | N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А | STMicroelectronics | ||||||
IRF740 | N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А | КИТАЙ | ||||||
IRF740 | N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А | IR/VISHAY | ||||||
IRF740 | N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А | MINOS | 340 | 38.73 | ||||
WSL2512R0600FEA | Vishay/Dale | |||||||
WSL2512R0600FEA | VISHAY | |||||||
WSL2512R0600FEA | 156.40 |
|