|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
10000МКФ 50В (30X35) |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10000 мкФ 50В
|
|
|
688.00
|
|
|
|
3266P-1-502 |
|
5 кОм, резистор подстроечный
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3266P-1-502 |
|
5 кОм, резистор подстроечный
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3266P-1-502 |
|
5 кОм, резистор подстроечный
|
|
|
50.76
|
|
|
|
3266P-1-502 |
|
5 кОм, резистор подстроечный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
3296W-1-472 |
|
Подстроечный резистор 4,7K
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
3296W-1-472 |
|
Подстроечный резистор 4,7K
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3296W-1-472 |
|
Подстроечный резистор 4,7K
|
|
|
32.00
|
|
|
|
3296W-1-472 |
|
Подстроечный резистор 4,7K
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3296W-1-472 |
|
Подстроечный резистор 4,7K
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
3296W-1-472 |
|
Подстроечный резистор 4,7K
|
BAOTER
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
334
|
122.55
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
|
951
|
107.74
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
EVVO
|
1 212
|
77.92
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
JSMICRO
|
1 392
|
118.68
|
|
|
|
STW11NK100Z |
|
Транзистор полевой N-канальный
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STW11NK100Z |
|
Транзистор полевой N-канальный
|
|
|
448.00
|
|
|
|
STW11NK100Z |
|
Транзистор полевой N-канальный
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STW11NK100Z |
|
Транзистор полевой N-канальный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STW11NK100Z |
|
Транзистор полевой N-канальный
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STW11NK100Z |
|
Транзистор полевой N-канальный
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|