IRFP31N50LPBF

Версия для печати

Технические характеристики IRFP31N50LPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 19A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	31A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	210nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5000pF @ 25V
Power - Max	460W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFP31N50LPBF (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFP31N50LPBF datasheet
165.5 Кб