Версия для печати
Технические характеристики LM319N

Корпус	14-DIP
Корпус (размер)	14-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Напряжение питания	5 V ~ 30 V, ±2.5 V ~ 15 V
Тип выхода	Open-Collector, Open-Emitter, TTL
Число элементов	2
Тип	General Purpose
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Output Type	Open-Collector, Open-Emitter, TTL

LM319 High Speed Dual Comparators Также в этом файле: LM319N Производитель: STMicroelectronics //www.st.com LM319N datasheet 124.25Kb 9стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Компараторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	NEC
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS	5 471	13.78
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...		10 519	8.72
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMEN
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXASINSTRUMENTS
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	0.00
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	YOUTAI	79 458	4.29
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TI (TEXAS INSTRUMENTS)	16 000	11.00
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	UMW	2 640	5.90
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	UMW-YOUTAI
		SCS-28		Панель для микросхем в узких корпусах DIP.		7 004	6.60
		SCS-28		Панель для микросхем в узких корпусах DIP.	BM
		SCS-28		Панель для микросхем в узких корпусах DIP.	CONNFLY
		SCS-28		Панель для микросхем в узких корпусах DIP.	NXU
		SCS-28		Панель для микросхем в узких корпусах DIP.	NLT
		SCS-28		Панель для микросхем в узких корпусах DIP.	КИТАЙ	224	11.81
		SCS-28		Панель для микросхем в узких корпусах DIP.	RUICHI	1 883	8.66
		КТ3107Д		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p, ...		2 294	1.76  >100 шт.   0.88
		КТ3107Д		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p, ...	КРЕМНИЙ	800	12.24
		КТ3107Д		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p, ...	СВЕТЛАНА
		КТ3107Д		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p, ...	БРЯНСК	1 057	4.00
		КТ3107Д		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p, ...	АЛЕКСАНДРОВ	2 913	4.00
		КТ3107Д		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p, ...	НАЛЬЧИК
		КТ3107Д		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p, ...	РИГА
		КТ3107Д		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p, ...	RUS
		КТ3107Д		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p, ...	ПРОХЛАДНЫЙ
		КТ3107Д		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p, ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ3107Д		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p, ...	ЭЛЕКС
		КТ502Д				577	7.20
		КТ502Д			КРЕМНИЙ	109	14.79
		КТ502Д			БРЯНСК
		КТ502Д			АЛЕКСАНДРОВ	681	2.00
		КТ502Д			RUS
		КТ502Д			МИНСК	932	4.00
		КТ502Д			ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"