MMBF170LT1G
Транзистор
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 200mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 500mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 60pF @ 10V |
| Power - Max | 225mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
MMBF170LT1 (Полевые МОП транзисторы) Power MOSFET 500 mA, 60V N-Channel Также в этом файле: MMBF170LT1G
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
3362P-1-103LF |
|
Потенциометр 10 кОм | BOURNS |
|
|
||
|
|
3362P-1-103LF |
|
Потенциометр 10 кОм |
|
120.00 | |||
|
|
3362P-1-103LF |
|
Потенциометр 10 кОм | BOURNS |
|
|
||
|
|
3362P-1-103LF |
|
Потенциометр 10 кОм | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3362P-1-103LF |
|
Потенциометр 10 кОм | OLITECH |
|
|
||
| BSH201.215 | NXP | 133 | 20.00 | |||||
| BSH201.215 |
|
|
||||||
| BSH201.215 | NEX-NXP |
|
|
|||||
 |
EPM3032ATC44-10 |
|
Плис семейства MAX3000, 600 вентилей, 32 макроячеек, 34 линий ввода/вывода, ... | ALTERA |
|
|
||
|
|
EPM3032ATC44-10 |
|
Плис семейства MAX3000, 600 вентилей, 32 макроячеек, 34 линий ввода/вывода, ... |
|
200.00 | |||
|
|
EPM3032ATC44-10 |
|
Плис семейства MAX3000, 600 вентилей, 32 макроячеек, 34 линий ввода/вывода, ... | ALTERA |
|
|
||
 |
|
L9637D013TR |
|
ST MICROELECTRONICS |
|
|
||
|
|
|
L9637D013TR |
|
|
165.80 | |||
|
|
|
L9637D013TR |
|
ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
||
|
|
|
L9637D013TR |
|
STMicroelectronics |
|
|
||
|
|
|
L9637D013TR |
|
КИТАЙ |
|
|
