PMBT5551

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PMBT5551 (PHILIPS.)	204	3-4 недели Цена по запросу
PMBT5551 (NXP.)	172	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PMBT5551

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	160V
Current - Collector (Ic) (Max)	300mA
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Power - Max	250mW
Frequency - Transition	300MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PMBT5551 (Высоковольтные биполярные транзисторы)

Npn High-voltage Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PMBT5551 datasheet
47.48Kb
8стр.