SPP04N60S5

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SPP04N60S5		208.80

Версия для печати

Технические характеристики SPP04N60S5

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	CoolMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	950 mOhm @ 2.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	22.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	580pF @ 25V
Power - Max	50W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	PG-TO220-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SPP04N60S5 (Мощные полевые МОП транзисторы)

Cool Mos Power Transistor

Производитель:
Infineon Technologies AG
//www.infineon.com

SPP04N60S5 datasheet
324.29Kb
11стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SD1651			1	182.70
2SD1651		UNKNOWN
2SD1651		SANYO
2SD1651		SAVANTIC
2SD1651		ISCSEMI
2SD1651
BYV42E-200		NXP
BYV42E-200				284.08
BYV42E-200		NXP	96
BYV42E-200		PHILIPS	54
MCR100-6	Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA	ON SEMICONDUCTOR	52	24.57
MCR100-6	Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA			19.48
MCR100-6	Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA	UTC
MCR100-6	Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA	OTHER	83
MCR100-6	Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA	ONS
MCR100-6	Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA	CJ
R1206-1 КОМ-5%	Бескорпусной толстопленочный резистор 1кОм, 5%, 1206		3 456	1.85
TDA8359J	TV/CRT кадpовая pазвеpтка BTL (68V, Ipp=3.2A)	NXP
TDA8359J	TV/CRT кадpовая pазвеpтка BTL (68V, Ipp=3.2A)			126.68
TDA8359J	TV/CRT кадpовая pазвеpтка BTL (68V, Ipp=3.2A)	МАЛАЙЗИЯ
TDA8359J	TV/CRT кадpовая pазвеpтка BTL (68V, Ipp=3.2A)	PHILIPS
TDA8359J	TV/CRT кадpовая pазвеpтка BTL (68V, Ipp=3.2A)	4-7 НЕДЕЛЬ	464