W27C512P-45Z

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
W27C512P-45Z		314.40
W27C512P-45Z (WINBOND)	225	300.00

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AT24C256B-PU	EEPROM ser 2-Wire 32Kx8 -40+85C	ATMEL
AT24C256B-PU	EEPROM ser 2-Wire 32Kx8 -40+85C			107.44
AT24C256B-PU	EEPROM ser 2-Wire 32Kx8 -40+85C	ATMEL CORPORATION
AT24C512-10PI-1.8		ATMEL
AT24C512-10PI-1.8		ATMEL CORPORATION
IRFP064N	Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER	233	125.70
IRFP064N	Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт		1 051	109.45
IRFP064N	Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	ФИЛИППИНЫ
IRFP064N	Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	INFINEON
IRFP064N	Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	1
IRFP064N	Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	EVVO	1 537	99.10
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	425	383.76
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс		1	302.40
ПАНЕЛЬКАSCL-28