К10-17В-Н90-0.01МКФ
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 10МКФХ63В |
|
|
||||||
| 47МКФ-16В | 208 | 1.10 | ||||||
| КР1056УП1 | 89 | 102.06 | ||||||
| КР1056УП1 | НУКЛОНАС |
|
|
|||||
 |
 |
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | 2 | 37.00 | ||
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ТРАНЗИСТОР |
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | МИНСК | 7 637 | 37.80 | |
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ТРАНЗИСТОР МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ЗПП МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ-С |
|
|
|
| МЛТ - 0.25 ВТ 2.4 КОМ 5% | 19 545 | 1.26 |
