STD60N55F3

Версия для печати

Технические характеристики STD60N55F3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	STripFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 32A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	80A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2200pF @ 25V
Power - Max	110W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STD60N55F3 (MOSFET)

N-channel 55V - 6.5m? - 80A - DPAK STripFET™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STD60N55F3 datasheet
507.1 Кб