Версия для печати
Технические характеристики STP10NK60Z

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 4.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	70nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1370pF @ 25V
Power - Max	115W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

STP10NK60Z (MOSFET) N-channel 650 V, 0.65 ?, 10 A, SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected TO-220 Производитель: STMicroelectronics STP10NK60Z datasheet 858.5 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTRONICS	80	26.46
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	PHILIPS
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц		3 040	8.09
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	STMICROELECTRONICS
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	MCC
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ON Semiconductor
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTR
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ON SEMIC
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	PHILIPS SEMIC
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST1
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTRO
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	МИНСК
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	NXP
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	MULTICOMP
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	CJ
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	HOTTECH
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	TRR
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	JSCJ	3 192	8.88
		HER208 (2A 1000V)		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
		IR2110		PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR2110		PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14			170.24
		IR2110		PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14	МЕКСИКА
		IR2110		PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14	INFINEON
		7815CV (L7815CV)		Линейный cтабилизатор напряжения (Vout=15.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, ...	ST MICROELECTRONICS
		STW10NK60Z		N-channel 650 v, 0.65 ?, 10 a, supermesh™ power mosfet zener-protected to-247	ST MICROELECTRONICS	177	195.87
		STW10NK60Z		N-channel 650 v, 0.65 ?, 10 a, supermesh™ power mosfet zener-protected to-247	STMicroelectronics
		STW10NK60Z		N-channel 650 v, 0.65 ?, 10 a, supermesh™ power mosfet zener-protected to-247	КИТАЙ
		STW10NK60Z		N-channel 650 v, 0.65 ?, 10 a, supermesh™ power mosfet zener-protected to-247	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STW10NK60Z		N-channel 650 v, 0.65 ?, 10 a, supermesh™ power mosfet zener-protected to-247

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"