|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
400
|
102.00
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
|
|
61.68
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF510PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)
|
VISHAY
|
104
|
74.78
|
|
|
|
IRF510PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)
|
|
77
|
139.04
|
|
|
|
IRF510PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF510PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRF510PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
KX-327NHT 32.768 KHZ |
|
Резонатор кварцевый 32.768Гц, 20ppm, 12.5pF
|
GEYER ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
KX-327NHT 32.768 KHZ |
|
Резонатор кварцевый 32.768Гц, 20ppm, 12.5pF
|
GEYER
|
|
|
|
|
|
KX-327NHT 32.768 KHZ |
|
Резонатор кварцевый 32.768Гц, 20ppm, 12.5pF
|
|
|
|
|
|
|
SM05T1G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
SM05T1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SM05T1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 181
|
|
|
|
|
SM05T1G |
|
|
|
|
|
|
|
|
SM05T1G |
|
|
YOUTAI
|
413
|
2.68
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
2 127
|
28.88
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
2 032
|
38.00
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ЭКСИТОН
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
VBYCR
|
|
|
|