STP20NM60

Версия для печати

Технические характеристики STP20NM60

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	MDmesh™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	54nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1500pF @ 25V
Power - Max	192W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP20NM60 (MOSFET)

N-channel 600V - 0.25? - 20A - TO-220 MDmesh™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP20NM60 datasheet
439.1 Кб